Loại pin mặt trời này khá linh hoạt. Sản phẩm do Đại học Oxford (Anh) phát minh, được Viện Công nghệ và Khoa học Công nghiệp Tiên tiến Nhật Bản (AIST) chứng nhận. Loại pin này mỏng hơn 150 lần so với pin mặt trời silicon hiện có.
Để tạo ra màng siêu mỏng này, các nhà nghiên cứu đã phát triển vật liệu quang điện mới, dày hơn 1 micromet (0,001 mm) từ các cấu trúc perovskite.
Các cấu trúc tinh thể này là phiên bản tổng hợp của canxi titan oxit tự nhiên, có chi phí sản xuất rẻ, cả trong thí nghiệm lẫn trong sản xuất đại trà. Một trong những bất lợi của vật liệu perovskite là dễ xuống cấp, vỡ khi tiếp xúc với không khí.
Nhưng các nhà nghiên cứu đã khắc phục bằng cách tạo ra perovskite cấu trúc nhiều lớp, thông qua phương pháp đa giao điểm, kết hợp vài lớp nhạy sáng tương ứng với các bước sóng ánh sáng khác nhau để tăng độ nhạy sáng.
Kết quả, lớp màng mới vừa mỏng lại có hiệu suất chuyển đổi ánh sáng mặt trời thành năng lượng lên tới 27% so với pin silicon trên thị trường hiện nay (chỉ có 22%).
Theo nhóm đề tài, trong tương lai, perovskite có thể giúp pin mặt trời vượt qua mức hiệu suất 45% - giới hạn được đưa ra dựa trên kiến thức vật lý và các phương pháp hiện tại.
Nó có thể sản xuất điện năng trong điều kiện ánh sáng rất yếu, phù hợp dùng cho các thiết bị điện tử cá nhân hay các phương tiện giao thông như xe điện để cung cấp năng lượng tại chỗ cho chúng vận hành.
Bản quyền thuộc phunuvietnam.vn